随着AI算力竞赛进入白热化阶段，高带宽内存（HBM）作为AI芯片的“性能命脉”，正在成为半导体行业最炙手可热的赛道。最新行业数据显示，三星电子和SK海力士今年的HBM总出货量预计将达到约300亿Gb，两家韩国存储巨头正以惊人速度扩张产能，抢占AI时代的技术制高点。

出货量飙升：三星翻三倍，海力士猛增60%据业内人士透露，三星电子和SK海力士今年的HBM总出货量按容量计算将达到约300亿Gb。其中，三星电子预计出货量将超过100亿Gb，较去年的约40亿Gb实现翻三倍左右的增长；SK海力士则预计出货约200亿Gb，较去年的120亿Gb增长约60%。

三星存储器开发执行副总裁黄相俊在GTC 2026大会上明确表示：“我们正在快速扩大HBM的产能，今年计划将产量提高到去年的三倍以上。”这一目标与三星去年底制定的业务战略高度吻合——当时其下一代产品HBM4已获得英伟达的积极反馈，与AMD和博通等其他客户的供货谈判也已进入最后阶段。SK海力士方面虽然近期传出HBM4性能争议，但公司总裁郭鲁正在年度股东大会上强调：“我们正在与客户协商进行一些产品组合调整，但与我们最初计划的整体HBM出货量相比，并没有重大变化。

”据估计，SK海力士今年约三分之二的HBM产能将分配给英伟达。技术路线分化：三星押注先进制程，海力士稳扎稳打在这场HBM产能竞赛背后，两大巨头的技术路线正在出现明显分化。三星选择了一条激进的技术路径。其HBM4采用自家1c DRAM（第六代10nm级）作为核心芯片，并搭配三星晶圆厂的4nm工艺制造基础芯片。这两款芯片都代表了比竞争对手更先进的工艺节点。正是基于这一技术优势，三星成功满足了英伟达提出的更高性能要求——将HBM4的性能标准从JEDEC最初设定的8Gbps提升至约11.7Gbps。有分析指出，三星已经基本通过英伟达的HBM4质量测试，并在上个月向英伟达交付了少量成品。

市场调查机构Omdia的报告显示，三星电子2025年第四季DRAM市占率达36.6%，SK海力士以32.9%屈居第二，这主要得益于三星HBM4的销售增长。相比之下，SK海力士选择了更为稳健的技术路线。其HBM4采用1b DRAM（第五代10nm级）作为核心芯片，并搭配台积电的12nm工艺制作基片——相对于三星而言，这是一个更为成熟的工艺节点。虽然近期有报道称SK海力士的HBM4在与AI加速器集成的2.5D封装测试中性能未能达到峰值，根本原因是核心芯片堆叠最上层的供电不足，但公司正通过电路级改进积极解决这一问题。业内人士普遍认为，SK海力士原计划向NVIDIA供应的HBM显存量发生任何变化的可能性极低。英伟达虽然要求HBM4性能最高可达11.7 Gbps，但同时也在并行采购性能较低级别的产品（如10 Gbps），以确保满足其最先进AI芯片“Vera Rubin”的产能需求。

客户争夺战：英伟达成最大赢家在客户方面，英伟达无疑是这场HBM盛宴的最大赢家。据韩国经济日报报道，三星电子和SK海力士已被选为英伟达下一代旗舰AI加速器Vera Rubin的HBM4唯一供应商，这使得美光科技被排除在顶级产品的供应链之外。

英伟达计划在今年下半年推出Vera Rubin，该产品将搭载16颗HBM4，总容量达到576GB，高于AMD下一代AI加速器MI450的432GB。为提升性能，英伟达要求HBM4运行速度超过JEDEC规定的8Gb标准，达到10Gb以上。除了英伟达之外，来自谷歌、亚马逊等科技巨头的订单量也大幅增加。KB Securities指出，受ASIC需求激增影响，以ASIC为主要客户的三星，2026年HBM总出货量将有望较2025年暴增3倍。谷歌将HBM集成到其自主研发的AI芯片TPU中，预计今年将大幅提高其基于HBM3E的v7p版本的产量；博通则凭借代工模式为包括谷歌和OpenAI在内的多家大型科技公司生产AI半导体。供应紧张持续：产能缺口达50%-60%尽管三星和SK海力士都在大幅扩产，但HBM市场仍然处于严重的供不应求状态。

SEMI中国总裁冯莉在SEMICON China 2026上透露，2026年HBM市场规模将增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成。尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口仍高达50%-60%。

这一供需失衡直接反映在价格上。据韩国《朝鲜日报》消息，三星电子、SK海力士已上调2026年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格，因此本次涨价在业内较为罕见。

供应紧张的背后，是存储厂商对HBM4的产能投入挤占了HBM3E的产能空间。KB Securities预计，从2026年第三季度起，HBM4将快速承接HBM3E的需求，全年HBM市场中HBM4营收占比将达55%。HBM4未来开启新一轮周期随着HBM4进入量产倒计时，高端存储市场正迎来新一轮增长周期。

东方财富证券研报指出，HBM正由“配套存储”升级为决定算力上限的核心环节，技术壁垒叠加产能爬坡，产业链盈利弹性与集中度有望同步提升。在技术演进方面，HBM4接口位宽由1024位提升至2048位，带宽目标超过2TB/s，单价较HBM3E提升50%以上。三星已在GTC 2026大会上发布了新一代高带宽内存HBM4E，单引脚速度最高可达16Gbps，总带宽达到4TB/s。美光虽然暂未进入Vera Rubin的供应链，但其在业绩会上透露，公司2026年全年HBM的供应量已就价格和数量与客户达成协议，全部售罄。

美光预计HBM总潜在市场将在2028年达到1000亿美元，复合年增长率约40%。结语面对AI算力需求的爆发式增长，HBM正从“配套存储”华丽转身为决定算力上限的核心战略资源。三星电子的激进技术路线与SK海力士的稳健策略形成鲜明对比，但两者都在为满足客户需求而全力冲刺。

随着HBM4在今年下半年正式放量，全球存储市场格局将迎来新一轮洗牌，而这场围绕AI算力的“存储战争”才刚刚打响。